第八届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2024)
会议时间:2024年12月6-8日
会议地点:中国 · 三亚
会议官网:https://www.academicx.org/ICSPD/2024/
投稿邮箱:contact12@academicx.org (editorrolin@gmail.com)
官方微信:3025797047(企业微信同号)
联系电话: +86 13264702250(周一至周五)
△. 大会简介
第八届半导体物理与器件国际研讨会(The 8th Intl Conference on Semiconductor Physics and Devices)将于2024年12月6-8日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体,新兴半导体技术,铁磁性/磁性半导体,有机半导体,光电和光伏器件,半导体物理学等所有相关议题。会议将集聚来自世界各地的科研人员、工程师、学者及业界专家,展示他们在半导体物理与器件相关领域的最新研究成果及活动进展。
△. 大会特邀嘉宾
Prof. Wenbo Peng
Xi’an Jiaotong University, China
Prof. Masoumeh Ghalkhani
Department of Chemistry, Faculty of Science, Shahid Rajaee Teacher Training University, Iran
△. 参会方式
1、全文参会(参会 + 全文发表 + 报告)
投递全文并参会,录用的文章发表在开源期刊上,被谷歌学术等收录;
一篇文章的注册费含一位作者的参会费用,将安排做15-20分钟的口头报告;
2、摘要参会(参会 + 摘要 + 报告 )
投递摘要并参会,安排15-20分钟口头报告;
3、听众参会:无报告仅参会
△. 文章出版
录用的论文将发表在国际英文开源期刊Journal of Applied Mathematics and Physics (ISSN Print: 2327-4352/ISSN Online: 2327-4379) 上。
注:1. 如果您只是参会作报告,不需要发表文章,您只需要将您的摘要提交到投稿系统。
2. 您可点击左上角注册按钮下方Template for Manuscripts下载全文投稿模板,按照此模板准备文章。全文篇幅建议15-20页(按照模板格式,带图和参考文献),超过20页需缴纳超页费。摘要投稿无格式要求,具备标题、内容、关键词、作者信息即可,篇幅建议控制在1页以内,最长不超过2页。
3. 投稿之后3-5个工作日内您会收到审核结果,如逾期未收到邮件通知,请您尽快联系我们。
4. 可投中文稿件,文章题目、摘要,关键词需要中英双语,正文部分为中文(可联系我们索取模板文档)。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。
△. 大会日程(供参考)
2024年12月6日 - 大会签到(发指南、期刊、参会证、餐券等相关物资)
2024年12月7日 - 特邀演讲嘉宾报告
2024年12月8日 - 作者报告及海报展示
该会议征文涉及领域包括(但不限于):
复合氧化物
复合半导体
器件设计和制造
器件性能和可靠性
新兴半导体技术
铁磁性/磁性半导体
半导体物理学中的高磁场/高压
半导体中的杂质/缺陷
发光二极管 (LED) 和二极管激光器
新型半导体器件和应用
有机半导体
光电和光伏器件
半导体物理学
光物理和瞬态吸收光谱/测量
表面和界面物理学
半导体低维和纳米结构
半导体量子点/量子霍尔效应/量子信息
半导体材料和应用/半导体加工
半导体自旋电子学/拓扑绝缘体
半导体探测器
宽/窄带隙半导体
其他相关主题
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